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UVオゾンクリーナー
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特別仕様
オプション
テクニカルデータ



  UVオゾンクリーナー

 ※ダメージフリーの乾式洗浄法で、基板に付着している有機汚染物質を、光化学的酸化分解プロセスによって除去できます。


製品情報 製品ラインナップ 特別仕様 オプション
テクニカルデータ

 ※上記項目をクリックすると、当社該当サイトへジャンプします。

 ※デモ機貸し出しも行っております。
 ※
特別仕様も承っております。さらに大型のタイプも計画中です。
UVオゾンクリーナーの外観


原理


UVオゾン洗浄法は、短波長UV光を利用した感光酸化プロセスです。このプロセス中で、フォトレジスト、樹脂、
シリコンオイル、フラックス等の有機汚染物質は、短波長のUV照射光を吸収することにより、分解されます。
酸素分子は、184.9nmでオゾンになり、オゾンは253.7nmの波長で分解され、同時に活性酸素を生成します。
253.7nmのUV光はほとんどがハイドロカーボンとオゾンによって吸収されます。
この汚染分子の分解による生成物は活性酵素と反応し、よりシンプルな揮発性分子(ex.CO2,H2O etc.)
となり、基板表面から脱離します。184.9nmと253.7nmの両波長が存在する時、酸素原子が発生し続けオゾンとなり、
分解されます。
189.4nm の紫外線をモル当たり
エネルギーに換算すると、
647KJ/mol となります。
同様に253.7nm の紫外線をモル
当たりエネルギーに換算すると、
472KJ/mol となります。
有機物の種々な分子の
結合エネルギーは右記の
通りです。
結合 結合エネルギー
(KJ/mol)
結合 結合エネルギー
(KJ/mol)
O−O 138.9 C=C 607
O=O 490.4 C≡C 828
O−H 462.8 C−O 724
C−C 347.7 C−Cl 328.4
C−H 413.4 H−F 593.2
C−N 291.6 C−F 441.0
C≡N 791 H−Cl 431.8
C−O 351.5 N−H 309.8


特長


超音波洗浄だけでは除去できなかった、基板上の有機汚染物質を、
容易に除去できます。
湿式洗浄で使用した有機溶剤も除去します。
基板表面に損傷を与えないで、有機汚染物質の除去が可能です。
L-B膜の累積が容易になります。(累積率が大幅UPします。)
大気圧で使用可能な、真空装置不要のドライクリーニング装置です。
コンパクト卓上サイズで、省スペースで使用可能です。
接続は、すべてナイロン製チューブと継ぎ手コネクトによるワンタッチ
ジョイントの為、非常に簡便カツ取回しが楽です。
ナイロン製チューブの為、自由に長さをカットできます。
オプションで、オゾンキラー(オゾン分解装置)を接続でき、
作業環境への配慮も万全です。

UV253H、UV253H12、UV253H16では、合成石英ランプに交換して
頂くのみで簡単にUV253HR,UV253HR12,UV253HR16に
バージョンアップが可能です。
合成石英ランプは、標準の低圧水銀グリッドランプに比べ、
184.9nm波長光の放出が非常によく(約1.7倍)、洗浄効率が
飛躍的に向上する可能性があります。

UV253H(R)シリーズ ランプ形状
(高密度高出力グリッド)


アプリケーション


薄膜作製前処理
有機ELのITO膜洗浄
LB膜累積前の基板洗浄処理
フォトレジスト洗浄
シリコンウェハ・レンズ・ミラー・
ソーラーパネル・冷間圧延鋼・
慣性誘導サブコンポーネント・
GaAsウェハの洗浄
ハイブリッド回路・フラットパネルLCD
の洗浄
プラスチックへのコーティングの
接着性向上
電子顕微鏡関連用途
SEM・TEM試料のコンタミ除去
ダイヤモンドナイフ、ガラスナイフの
濡れ性・親和性の向上
支持膜の濡れ性・親水性の向上
その他
AFMカンチレバー
PDMSの表面改質
超高真空用ハーメチックシールの洗浄
フラックス除去
テフロン・バイトン・その他有機材料のエッチング
ガラスのガス抜き
ウェハテープの除去
テスト済みウェハからのインク除去
Ta2O5誘電体膜のアニーリング


洗浄例(本装置による汚染基板の洗浄経緯)


洗浄例


 お問い合わせ方法


当社まで、お電話あるいは、メールにて、お問い合わせをお願いします。

【メール送付先】
   ⇒ナノサイエンス部 sales@filgen.jp


【お電話によるご連絡先】
   ⇒ナノサイエンス部 052-624-4388(代表)

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